Semiconductor device



<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption by making dull the peak of a waveform of a current that flows in a write bit line, when writing data into a flip-flop circuit, while inverting a voltage to be supplied to a pair of write bit lines, thereby reducing the power supply noise. <P>SOLUTION: In the semiconductor device provided with a flip-flop circuit 4 for holding data, a memory cell 1 including transfer gates Tr1-Tr6 and write bit line pairs (WBLA, /WBLA), (WBLB, /WBLB) for writing data to the memory cell, when writing data to the flip-flop circuit 4 while inverting a voltage to be supplied to the write bit line pairs (WBLA, /WBLA), (WBLB, /WBLB), the through rate of the voltage to be supplied to the write bit line pairs (WBLA, /WBLA), (WBLB, /WBLB) is reduced to a predetermined value or smaller. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
【課題】 書込用ビット線対に供給される電圧を反転させてフリップフロップ回路にデータを書き込む場合に、書込用ビット線を流れる電流波形のピークを鈍らせて、電源ノイズを低減させ、ひいては低消費電力化を図ることができるようにする。 【解決手段】 データを保持するフリップフロップ回路4と、トランスファーゲートTr1〜Tr6とを含むメモリセル1と、メモリセル1にデータを書き込むための書込用ビット線対(WBLA,/WBLA),(WBLB,/WBLB)とを備える半導体装置において、書込用ビット線対(WBLA,/WBLA),(WBLB,/WBLB)に供給される電圧を反転させてフリップフロップ回路4にデータを書き込む場合に、書込用ビット線対(WBLA,/WBLA),(WBLB,/WBLB)に供給される電圧のスルーレートを所定値以下にする。 【選択図】 図1




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