半導体メモリ

Semiconductor memory

Abstract

【課題】 データの読み出し経路と書き込み経路とが独立している半導体メモリにおいて、訂正データをメモリセルに書き戻す。 【解決手段】 読み出し回路24は、異なるセルアレイARYのビット線BLXに共通に接続され、セルアレイARYのいずれかのビット線BLX上に読み出されたデータの論理値を判定する。誤り訂正回路16は、共通読み出しデータ線RDB上に読み出されたデータの誤りを訂正し、訂正データINCとして出力する。書き込みスイッチ26は、訂正データINCを元のデータを読み出したメモリセルMCに書き戻すために、訂正データINCが伝達される共通書き込みデータ線WDB、WDBXを対応するビット線BL、BLXに接続する。このため、読み出しサイクル中に、誤りを訂正したデータをメモリセルMCに書き戻すことができる。 【選択図】 図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To write corrected data back in a memory cell in a semiconductor memory having data reading and writing paths set independently each other. <P>SOLUTION: A reading circuit 24 is commonly connected to the bit lines BLX of different cell arrays, and determines the logical value of data read to one of the bit lines BLX of the cell arrays ARY. An error correction circuit 16 corrects the error of data read to a common reading data line RDB, and outputs it as corrected data INC. A write switch 26 connects common writing data lines WDB and WDBX for transmitting the corrected data INC to corresponding bit lines BL and BLX to write the corrected data back in the original memory cell MC reading data. Thus, the corrected data is written back in the memory cell MC during a reading cycle. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

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