金属絶縁体金属キャパシタの製造方法

Method for manufacturing metal-insulator-metal capacitor

Abstract

【課題】半導体素子において、特に、金属絶縁体金属(MIM:metal−insulator−metal)キャパシタを製造する方法を提供する。 【解決手段】MIMキャパシタを持つ金属膜において、エッチング時に発生するブリッジによるエラーを熱処理により解決し、かつ、MIM構造の電極形成のためのエッチング時に発生する異常現象により後続の下部電極(Bottom Electrode)エッチング工程に誘発されるエラーを防止する。 【選択図】図5A
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor in a semiconductor device. <P>SOLUTION: In metal films having the MIM capacitors, an error due to bridging generated at etching is resolved by a thermal treatment, and an error induced in the successive bottom electrode etching process due to an abnormal phenomenon generated at etching for the electrode formation in an MIM structure is prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

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