有機薄膜トランジスタ絶縁層材料

Organic thin-film transistor insulating layer material

Abstract

【課題】スパッタリング法に用いられる金属蒸気に対する耐性が高い有機薄膜トランジスタ絶縁層を形成することが可能となる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供すること。 【解決手段】環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、酸の作用によりフェノール性水酸基を生成する有機基を含有する繰り返し単位とを含む高分子化合物(A)と、フェノール性水酸基及び環状エーテル基からなる群から選択される少なくとも1種の基を有するオルガノシラセスキオキサン化合物(B)とを含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 【選択図】なし
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic thin-film transistor insulating layer material capable of forming an organic thin-film transistor insulating layer having high resistance to a metal vapor used in a sputtering method.SOLUTION: The organic thin-film transistor insulating layer material contains: a polymer compound (A) including a repeating unit containing a cyclic ether structure, and a repeating unit containing an organic group which generates a phenolic hydroxyl group by the action of an acid; and an organosilsesquioxane compound (B) having at least one group selected from a group consisting of a phenolic hydroxyl group and a cyclic ether group.

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